系统概述:
ENJ2005-C是一款很具有代表性的新型半导体功率器件图示系统,系统IV曲线自动生成,也可根据实际需求设置功能测试,直接读取数显结果。系统生成的曲线都使用ATE系统逐点建立,保证了数据的准确可靠。提供在线故障判断,遇到器件接触不良时系统自动停止测试。通过USB或者RS232与电脑连接,以及人机界面操作,即可完成测试,并实现结果以Excel和Date的格式保存。
曲线测试: 参数条件:
01
二极管 / DIODE
02
晶体管 / NPN型/PNP型
03
J型场效应管 / J-FET
04
MOS场效应管 / MOS-FET
05
双向可控硅 / TRIAC
06
可控硅 / SCR
07
绝缘栅双极性晶体管 / IGBT
08
硅触发可控硅 / STS
09
达林顿阵列 / DARLNTON
10
光电耦合 / OPTO-COUPLER
11
继电器 / RELAY
12
稳压、齐纳二极管 / ZENER
13
三端稳压器 / REGULATOR
14
光电开关 / OPTO-SWITCH
……
其它器件共类27分类
ID vs. VDS at range of VGS
ID vs. VGS at fixed VDS
IS vs. VSD
RDS vs. VGS at fixed ID
RDS vs. ID at several VGS
IDSS vs. VDS / HFE vs. IC
BVCE(O,S,R,V)vs. IC
BVEBO vs. IE
BVCBO vs. IC
VCE(SAT)vs. IC
VBE(SAT)vs. IC
VBE(ON)vs. IC (use VBE test)
VCE(SAT)vs. IB at a range of ICVF vs. IF
匹配规格:
主极电压
1mV-2000V
电压分辨率
1mV
主极电流
0.1nA-100A
电流分辨率
0.1nA
测试精度
0.2% 2LSB
测试速度
0.5mS/参数
测试参数:
漏电参数:IR、 ICBO、LCEO/S/X、IDSS/X、IDOFF、IDRM、IRRM、
ICOFF、IDGO、ICES、IGESF、IGESR、IEBO、IGSSF、
IGSSR、IGSS、IGKO、IR(OPTO)
击穿参数:BVCEO BVCES(300μS Pulse above 10mA)BVDSS、VD、
BVCBO、VDRM、VRRM、VBB、BVR 、VD 、VD-、
BVDGO、BVZ、BVEBO、BVGSS、BVGKO
导通参数:VCESAT、VBESAT、VBEON、VF、VT、VT 、VT-、VON、
VDSON、VDON、VGSON、VF(Opto-Diode)VGSTH、VTM、
VGETH、VSD、IDON、VSAT、IDON、VO(Regulator)
Notch = IGT1、IGT4、ICON、VGEON、、IIN(Regulator)
关断参数:VGSOFF
触发参数:IGT、VGT
保持参数:IH、IH 、IH-
锁定参数:IL、IL 、IL
增益参数:hFE、CTR、gFS
混合参数:rDSON、gFS、Input Regulation、Output Regulatio
间接参数:IL