IGBT直流参数测试仪ST-DC2002

IGBT直流参数测试仪ST-DC2002


测试对象：IGBT、Mosfet、Diode
测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数
标准《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29）
该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据

IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
IGBT测试
IGBT测试项目 测试条件 测试结果
栅极-发射极栅
极绝缘 Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V Iges: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A
精度:±3% ±0.1?A
截止电流 Vces: V,分辨力,1 V
精度:±3% ±10V Ices: 100?A-1000?A,分辨力,10?A
1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA
精度:±3% ±10?A
阈值电压 Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA
（可根据客户需求扩展） Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
饱和压降 Ice: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A Vce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管压降 If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 A Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流 Vd:V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V Id: 100?A-1000?A,分辨力,10?A
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10?A


IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
MOSFET测试
MOSFET测试项目 测试条件 测试结果
栅极-源极绝缘 Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V Igss: 0.1-20.0?A,分辨力,0.1?A
精度:±3% ±0.1?A
漏极-源极截止电流 Vdss:V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10?A
栅极-源极阈值电压 Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mA Vgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V
精度:±3% ±0.1V
漏极-源极导通电阻 Ids:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A Rds(on):0-500mR,分辨力,1mR
二极管压降 If: 20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1 A Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流 Vdss:V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V Idss:100?A-1000?A,分辨力,10?A
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10?A



IGBT直流参数测试仪ST-DC2002
DIODE测试
DIODE测试项目 测试条件 测试结果
二极管压降 If:20-200A,分辨力,1A
精度:±3% ±1A Vf: 0.10-5.00V分辨力0.01V
精度:±3% ±0.10V
二极管反向电流 Vd:V,分辨力,1V
精度:±3% ±10V Id:100?A-1000?A,分辨力,10?A
1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA
精度:±3% ±10?A


IGBT直流参数测试仪ST-DC2002