MOS管动态参数测试仪

MOS管动态参数测试仪
ST-AC1202_X

用于?Si/SiC/GaN 材料的 MOSFET&IGBT的开关时间参数测试
1200V/200A的输出能力，覆盖几乎所有的半导体分立式单管器件

? ? ? ? ? ?开通延迟 td(on) 0.1ns~10us ? ?关断延迟 td(off) 0.1ns~10us
? ? ?上升时间 tr 0.1ns~10us ? ? ? ? ? 下降时间 tf 0.1ns~10us
? ? ? ? ?开通时间 ton 0.1ns~10us ? ? ?? 关断时间 toff 0.1ns~10us
? ? ? ? ? ? 开通损耗 Eon 1uJ~1000mJ ? ? 关断损耗 Eoff 1uJ~1000mJ
? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ? ?拖尾电流 0.1A~30A



?产品简述
? ? ?MOS管动态参数测试仪是主要针对 半导体功率器件的动态参数测试 而开发设计。通过DUT适配器的转换，可测试各类封装外观的 IGBTs，MOSFETs，DIODEs等功率器件，包括器件、模块、DBC衬板以及晶圆。产品功能模块化设计，根据用户需求匹配功能单元。测试功能单元有DPT（双脉冲测试 Double Pulse?Testing，以下简称DPT。包含开通特性、关断特性、反向恢复特性）栅电荷、短路、雪崩、结电容、栅电阻、反偏安全工作区等。测试方案完全符合IEC60747-9国际标准。
? ? ? 产品功能及输出功率进行了模块化设计，满足用户潜在的后期需求，*高测试电压电流可扩展至10KV/10KA，变温测试支持常温到200℃，支持生产线批量化全自动测试。



?产品特点
? MOS管动态参数测试仪系统电压以1500V为一个模块，电流以2000A为一个模块，可扩展至10KA/10KV
? 内置7颗标准电感负载可选用, 另有外接负载接口,可实现不同电感和电阻负载测试需要(20/50/100/200/500/1000/2000uH)
? 另有程控式电感箱可供选择
? 针对不同结构的封装外观，通过更换 DUT适配器即可
? 可进行室温到200℃的变温测试,也可实现子单元测试功能
? 测试软件具有实验模式和生产模式，测试数据可存储为Excel文件
? 门极电阻可任意调整, 系统内部寄生电感为*小至50nH
? 系统测试性能稳定,适合大规模生产测试应用（24hr 工作）
? 安全稳定（PLC 对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）
? 系统具有安全工作保护功能，以防止模块高压大电流损坏时对使用者造成伤害，设计符合CE认证
? 支持半自动和全自动测试
? 采用品牌工控机，具有抗电磁干扰能力强，排风量大等特点
? 自动化：单机测试时只需手动放置DUT，也可连接机械选件实现自动化测试线
? 智能化，通过主控计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传指定局域网
? 安全性，防爆，防触电，防烫伤，短路保护等多重保护措施，确保操作人员、设备、数据及样品安全。

?参数指标

MOS管动态参数测试仪厂家。


产品系列

晶体管图示仪
半导体分立器件测试筛选系统
静态参数（包括IGEs/VGE(th)/VCEsat/VF/ICEs/VCEs等）
动态参数（包括Turn_ON&OFF_L/Qrr_FRD/Qg/Rg/UIS/SC/RBSOA等）
环境老化（包括 HTRB/HTGB/H3TRB/Surge等）
热 ?特 ?性（包括 PC/TC/Rth/Zth/Kcurve等）
可测试 Si/SiC/GaN 材料的 IGBTs / MOSFETs / ?DIODEs / BJTs / SCRs等功率器件